18 czerwca 2026 roku firma oficjalnie potwierdziła wysyłkę pierwszych próbek 12-warstwowej pamięci HBM4E do głównych odbiorców.
Parametry robią wrażenie: 16 Gbps na pin, 48 GB pojemności na stos, efektywność energetyczna lepsza o ponad 20 procent względem HBM4.
To pamięć, która ma zasilić następną falę akceleratorów AI - w tym NVIDIA Rubin Ultra i AMD Instinct MI500.Tylko że Samsung był kilka tygodni szybszy.
SK hynix nie podał konkretnej daty startu seryjnej produkcji HBM4E - podał jedynie, że nastąpi to „w odpowiednim terminie" we współpracy z partnerami.